K3GNNDC24VDC

K3GNNDC24VDC datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

K3GNNDC24VDC datasheet

Маркировка

K3GNNDC24VDC
Производитель

Omron Corporation
Описание

Omron Corporation K3GNNDC24VDC Digit Height: 7mm ID_COMPONENTS: 2466269 Meter Function: DC Process Meter Range: -19999 To 99999 Meter Shape: Rectangular No. Of Digits / Alpha: 5 Operating Temperature Range: -10?‚?°C To +55?‚?°C Power Consumption: 2.5W
Количество страниц

13 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet K3GNNDC24VDC.pdf
Файл формата Pdf 1,10 MB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

K3GNNDC24VDCОнлайн Компоненты

K3GNNDC24VDCЭИК

K3GNNDC24VDCТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Электронные компоненты и радиодетали

Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.